Article Dans Une Revue
Applied Surface Science
Année : 2006
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https://hal.science/hal-00138654
Soumis le : mardi 27 mars 2007-10:22:58
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00138654 , version 1
Citer
J. Penaud, F. Fruleux, Emmanuel Dubois. Transformation of hydrogen silsesquioxane properties with RIE plasma treatment for advanced multiple-gate MOSFETs. Applied Surface Science, 2006, 253, pp.395-399. ⟨hal-00138654⟩
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