TEM characterisation of accumulation low Schottky barrier MOSFET with PtSi contacts - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2005

TEM characterisation of accumulation low Schottky barrier MOSFET with PtSi contacts

A. Laszcz
  • Fonction : Auteur
J. Katcki
  • Fonction : Auteur
J. Ratajczak
  • Fonction : Auteur
A. Czerwinski
  • Fonction : Auteur
G. Larrieu
  • Fonction : Auteur
X. Wallart
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00138408 , version 1 (26-03-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00138408 , version 1

Citer

A. Laszcz, J. Katcki, J. Ratajczak, A. Czerwinski, Emmanuel Dubois, et al.. TEM characterisation of accumulation low Schottky barrier MOSFET with PtSi contacts. School on Materials Science and Electron Microscopy, Microscopy of Tomorrow's Industrial Materials, 2005, Berlin, Germany. ⟨hal-00138408⟩
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