Transformation of hydrogen silsexquioxane properties with RIE plasma treatment for advanced multiple-gate MOSFETs - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2005

Transformation of hydrogen silsexquioxane properties with RIE plasma treatment for advanced multiple-gate MOSFETs

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00138399 , version 1 (26-03-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00138399 , version 1

Citer

J. Penaud, F. Fruleux, Emmanuel Dubois. Transformation of hydrogen silsexquioxane properties with RIE plasma treatment for advanced multiple-gate MOSFETs. 2005, pp.P-P.15. ⟨hal-00138399⟩
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