Impact of large angle tilt implantation on the threshold voltages of LDMOS transistors on SOI - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Materials Science and Engineering: B Année : 2005

Impact of large angle tilt implantation on the threshold voltages of LDMOS transistors on SOI

E. Lampin
  • Fonction : Auteur
Emmanuel Dubois
S. Bardy
  • Fonction : Auteur
F. Murray
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00138396 , version 1 (26-03-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00138396 , version 1

Citer

H. Xu, E. Lampin, Emmanuel Dubois, S. Bardy, F. Murray. Impact of large angle tilt implantation on the threshold voltages of LDMOS transistors on SOI. Materials Science and Engineering: B, 2005, 124-125, pp.323-326. ⟨hal-00138396⟩
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