Article Dans Une Revue
Materials Science and Engineering: B
Année : 2005
Collection IEMN : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00138396
Soumis le : lundi 26 mars 2007-11:04:54
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00138396 , version 1
Citer
H. Xu, E. Lampin, Emmanuel Dubois, S. Bardy, F. Murray. Impact of large angle tilt implantation on the threshold voltages of LDMOS transistors on SOI. Materials Science and Engineering: B, 2005, 124-125, pp.323-326. ⟨hal-00138396⟩
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