InAlAs-InGaAs double-gate HEMTs on transferred substrate - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue IEEE Electron Device Letters Année : 2004

InAlAs-InGaAs double-gate HEMTs on transferred substrate

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Sciences de l'ingénieur [physics]

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https://hal.science/hal-00133868

Soumis le : mercredi 28 février 2007-09:35:02

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00133868 , version 1 (28-02-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00133868 , version 1

Citer

Nicolas Wichmann, I. Duszynski, X. Wallart, S. Bollaert, A. Cappy. InAlAs-InGaAs double-gate HEMTs on transferred substrate. IEEE Electron Device Letters, 2004, 25, pp.354-356. ⟨hal-00133868⟩

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