Article Dans Une Revue
IEEE Transactions on Electron Devices
Année : 2004
Collection IEMN : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00133866
Soumis le : mercredi 28 février 2007-09:35:01
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00133866 , version 1
Citer
J. Mateos, T. Gonzales, D. Pardo, S. Bollaert, T. Parenty, et al.. Design optimization of AlInAs-GaInAs HEMTs for high frequency applications. IEEE Transactions on Electron Devices, 2004, 51, pp.521-528. ⟨hal-00133866⟩
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