Analyse physique de transistors HEMTs AlGaN/GaN élaborés avec la technologie field plate - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2006
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00128165 , version 1 (31-01-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00128165 , version 1

Citer

Brahim Benbakhti, Michel Rousseau, J-C Gerbedoen, Jean-Claude de Jaeger. Analyse physique de transistors HEMTs AlGaN/GaN élaborés avec la technologie field plate. 10èmes Journées de la Matière Condensée, Aug 2006, Toulouse, France. ⟨hal-00128165⟩
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