Article Dans Une Revue
Microelectronics Journal
Année : 2006
Collection IEMN : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00127942
Soumis le : mardi 30 janvier 2007-11:18:16
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00127942 , version 1
Citer
N. Sghaier, M. Trabelsi, N. Yacoubi, J.M. Bluet, A. Souifi, et al.. Traps centers and deep defects contribution in current instabilities for AlGaN/GaN HEMT's on silicon and sapphire substrates. Microelectronics Journal, 2006, 37, pp.363-370. ⟨hal-00127942⟩
Collections
24
Consultations
0
Téléchargements