Traps centers and deep defects contribution in current instabilities for AlGaN/GaN HEMT's on silicon and sapphire substrates - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Microelectronics Journal Année : 2006

Traps centers and deep defects contribution in current instabilities for AlGaN/GaN HEMT's on silicon and sapphire substrates

N. Sghaier
  • Fonction : Auteur
M. Trabelsi
  • Fonction : Auteur
N. Yacoubi
  • Fonction : Auteur
J.M. Bluet
A. Souifi
  • Fonction : Auteur
G. Guillot
Jean-Claude de Jaeger
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00127942 , version 1 (30-01-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00127942 , version 1

Citer

N. Sghaier, M. Trabelsi, N. Yacoubi, J.M. Bluet, A. Souifi, et al.. Traps centers and deep defects contribution in current instabilities for AlGaN/GaN HEMT's on silicon and sapphire substrates. Microelectronics Journal, 2006, 37, pp.363-370. ⟨hal-00127942⟩
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