Article Dans Une Revue
Journal of Crystal Growth
Année : 2006
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https://hal.science/hal-00127061
Soumis le : lundi 29 janvier 2007-09:56:09
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00127061 , version 1
Citer
D. Vignaud, M. Zaknoune, F. Mollot. Free-carrier absorption and growth temperature of highly Be-doped InGaAs in molecular beam epitaxy. Journal of Crystal Growth, 2006, 291, pp.107-111. ⟨hal-00127061⟩
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