Mise en œuvre d'un modèle physique électrothermique pour la simulation de transistors à effet de champ de puissance - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2005

Mise en œuvre d'un modèle physique électrothermique pour la simulation de transistors à effet de champ de puissance

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00126750 , version 1 (26-01-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00126750 , version 1

Citer

Brahim Benbakhti, Michel Rousseau, Matthieu Werquin, Jean-Claude de Jaeger. Mise en œuvre d'un modèle physique électrothermique pour la simulation de transistors à effet de champ de puissance. Actes des 14èmes Journées Nationales Microndes, May 2005, Nantes, France. ⟨hal-00126750⟩
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