Article Dans Une Revue
IEEE Transactions on Electron Devices
Année : 2006
Collection IEMN : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00126519
Soumis le : jeudi 25 janvier 2007-11:19:34
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00126519 , version 1
Citer
A. Siligaris, G. Pailloncy, S. Delcourt, R. Valentin, Sylvie Lepilliet, et al.. High-frequency and noise performances of 65-nm MOSFET at liquid nitrogen temperature. IEEE Transactions on Electron Devices, 2006, 53, pp.1902-1908. ⟨hal-00126519⟩
Collections
12
Consultations
0
Téléchargements