High-frequency and noise performances of 65-nm MOSFET at liquid nitrogen temperature - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Electron Devices Année : 2006

High-frequency and noise performances of 65-nm MOSFET at liquid nitrogen temperature

A. Siligaris
  • Fonction : Auteur
G. Pailloncy
  • Fonction : Auteur
S. Delcourt
  • Fonction : Auteur
R. Valentin
  • Fonction : Auteur
Francois Danneville
D. Gloria
  • Fonction : Auteur
Gilles Dambrine
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00126519 , version 1 (25-01-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00126519 , version 1

Citer

A. Siligaris, G. Pailloncy, S. Delcourt, R. Valentin, Sylvie Lepilliet, et al.. High-frequency and noise performances of 65-nm MOSFET at liquid nitrogen temperature. IEEE Transactions on Electron Devices, 2006, 53, pp.1902-1908. ⟨hal-00126519⟩
12 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More