Article Dans Une Revue
Journal of Vacuum Science and Technology
Année : 2005
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https://hal.science/hal-00125635
Soumis le : lundi 22 janvier 2007-10:27:53
Dernière modification le : jeudi 19 septembre 2024-03:20:59
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00125635 , version 1
Citer
G. Larrieu, Emmanuel Dubois. Reactive ion etching of a 20 nanometers tungsten gate using a SF6/N2 chemistry and hydrogen silsesquioxane hard mask resist. Journal of Vacuum Science and Technology, 2005, 23, pp.2046-2050. ⟨hal-00125635⟩
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