Article Dans Une Revue
Journal of Crystal Growth
Année : 2005
Collection IEMN : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00125361
Soumis le : vendredi 19 janvier 2007-10:59:03
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00125361 , version 1
Citer
S. Dhellemmes, S. Godey, A. Wilk, X. Wallart, F. Mollot. As-P interface-sensitive GaInP/GaAs structures grown in a production MBE system. Journal of Crystal Growth, 2005, 278, pp.564-568. ⟨hal-00125361⟩
Collections
24
Consultations
0
Téléchargements