As-P interface-sensitive GaInP/GaAs structures grown in a production MBE system - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Crystal Growth Année : 2005

As-P interface-sensitive GaInP/GaAs structures grown in a production MBE system

S. Godey
A. Wilk
  • Fonction : Auteur
X. Wallart
F. Mollot
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00125361 , version 1 (19-01-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00125361 , version 1

Citer

S. Dhellemmes, S. Godey, A. Wilk, X. Wallart, F. Mollot. As-P interface-sensitive GaInP/GaAs structures grown in a production MBE system. Journal of Crystal Growth, 2005, 278, pp.564-568. ⟨hal-00125361⟩
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