Article Dans Une Revue
Journal of Crystal Growth
Année : 2005
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https://hal.science/hal-00125354
Soumis le : vendredi 19 janvier 2007-10:51:01
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00125354 , version 1
Citer
X. Wallart, B. Pinsard, F. Mollot. High In content pseudomorphic InGaAs layers for high mobility heterostructures on InP(001). Journal of Crystal Growth, 2005, 278, pp.516-520. ⟨hal-00125354⟩
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