100-nm T-gate In0.53Ga0.47As-In0.52Al0.48As DG-HEMTs with two separate gate controls - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEEE Electron Device Letters Année : 2005

100-nm T-gate In0.53Ga0.47As-In0.52Al0.48As DG-HEMTs with two separate gate controls

Nicolas Wichmann
I. Duszynski
  • Fonction : Auteur
S. Bollaert
A. Cappy
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00125132 , version 1 (18-01-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00125132 , version 1

Citer

Nicolas Wichmann, I. Duszynski, X. Wallart, S. Bollaert, A. Cappy. 100-nm T-gate In0.53Ga0.47As-In0.52Al0.48As DG-HEMTs with two separate gate controls. IEEE Electron Device Letters, 2005, 26, pp.601-603. ⟨hal-00125132⟩
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