Communication Dans Un Congrès
Année : 2005
Marie-Anne Jung : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00021653
Soumis le : jeudi 23 mars 2006-15:43:49
Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:47
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00021653 , version 1
Citer
S. Duguay, A. Slaoui, J.J. Grob, M. Kanoun, S. Burignat, et al.. Structural properties of Ge-implanted SiO2 layers and related MOS memory effects. European Material Research Society (E-MRS) Spring Conference, Symposium on Materials Science and Device Issues for Future Si-based Technologies, 2005, Strasbourg, France. ⟨hal-00021653⟩
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