Article Dans Une Revue
Applied Physics Letters
Année : 2001
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https://hal.science/hal-00018480
Soumis le : vendredi 3 février 2006-09:49:36
Dernière modification le : vendredi 26 avril 2024-03:29:56
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00018480 , version 1
Citer
X. Wallart, D. Deresmes, F. Mollot. Relationship between surface reconstruction and morphology of strained Ga1-xInxP layers grown on GaP(001) by Gas Source Molecular Beam Epitaxy. Applied Physics Letters, 2001, 78, pp.2961. ⟨hal-00018480⟩
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