Conception et réalisation d'une inductance active à fort coefficient de qualité et forte linéarité en technologie CMOS 65nm - DRE - Département de Recherche en Electromagnétisme Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2011

Conception et réalisation d'une inductance active à fort coefficient de qualité et forte linéarité en technologie CMOS 65nm

Résumé

Cette publication détaille la conception et la réalisation d'une inductance active différentielle en technologie CMOS 65nm. Celle-ci est conçue dans un but de forte linéarité et de fort facteur de qualité (Q>1000). Le défit réside dans la conception même de l'inductance sur une plage de puissance d'entrée allant de -40 à 0dBm. Deux inductances actives ont été conçues et réalisées (0.8nH et 1.1nH). Nous montrons l'intérêt d'utiliser de telles inductances dans les différents blocs d'une chaine d'émission ou de réception reconfigurable.
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00658327 , version 1 (10-01-2012)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00658327 , version 1

Citer

Fabien Robert, Philippe Cathelin, Antoine Diet, Martine Villegas, Pascal Triaire, et al.. Conception et réalisation d'une inductance active à fort coefficient de qualité et forte linéarité en technologie CMOS 65nm. JNM 2011, May 2011, Brest, France. ⟨hal-00658327⟩
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