Study of Intermediate States of Ge-Rich GeSbTe Phase Change Memories by Impedance Spectroscopy - Matériaux et dispositifs pour l'Electronique et le Magnétisme
Communication Dans Un Congrès Année : 2024

Study of Intermediate States of Ge-Rich GeSbTe Phase Change Memories by Impedance Spectroscopy

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Adrien Delpoux, Sijia Ran, Alain Claverie, Daniel Benoit, Jérémie Grisolia. Study of Intermediate States of Ge-Rich GeSbTe Phase Change Memories by Impedance Spectroscopy. 2024 IEEE 5th International Conference on Dielectrics (ICD), Jun 2024, TOULOUSE (FRANCE), France. pp.1-4, ⟨10.1109/ICD59037.2024.10613164⟩. ⟨hal-04780457⟩

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