Importance of layer distribution in Ni and Au based ohmic contacts to p-type GaN - Les productions scientifiques du laboratoire plasma et conversion d’énergie Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Microelectronic Engineering Année : 2023

Importance of layer distribution in Ni and Au based ohmic contacts to p-type GaN

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hal-04097297 , version 1 (03-06-2023)

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Citer

Clément Mauduit, Taoufik Slimani Tlemcani, Meiling Zhang, Arnaud Yvon, Nicolas Vivet, et al.. Importance of layer distribution in Ni and Au based ohmic contacts to p-type GaN. Microelectronic Engineering, 2023, 277, pp.112020. ⟨10.1016/j.mee.2023.112020⟩. ⟨hal-04097297⟩
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