Transition metal qubits in 4 H -silicon carbide: A correlated EPR and DFT study of the spin S = 1 vanadium V 3 + center - Couches nanométriques : formation, interfaces, défauts Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Physical Review Materials Année : 2019

Transition metal qubits in 4 H -silicon carbide: A correlated EPR and DFT study of the spin S = 1 vanadium V 3 + center

H. von Bardeleben
  • Fonction : Auteur
S. Zargaleh
  • Fonction : Auteur
W. Gao
T. Biktagirov
  • Fonction : Auteur
U. Gerstmann

Dates et versions

hal-03925171 , version 1 (05-01-2023)

Identifiants

Citer

H. von Bardeleben, S. Zargaleh, Jean-Louis Cantin, W. Gao, T. Biktagirov, et al.. Transition metal qubits in 4 H -silicon carbide: A correlated EPR and DFT study of the spin S = 1 vanadium V 3 + center. Physical Review Materials, 2019, 3 (12), pp.124605. ⟨10.1103/PhysRevMaterials.3.124605⟩. ⟨hal-03925171⟩
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