Optimization of the melt and quench behavior of phase-change RF switch to improve power handling - Institut d'électronique, de microélectronique et de nanotechnologie
Communication Dans Un Congrès Année : 2024

Optimization of the melt and quench behavior of phase-change RF switch to improve power handling

Corentin Mercier
Microélectronique Silicium - IEMN
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
Bruno Reig
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1132232
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
Stéphane Monfray
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1080333
STMicroelectronics [Crolles]
Emmanuel Dubois
Microélectronique Silicium - IEMN
CV
Alain Fleury
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1279291
STMicroelectronics [Crolles]
Frederic Gianesello
  • Fonction : Auteur
STMicroelectronics [Crolles]
Vincent Puyal
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1289901
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
Ismaël Charlet
Département Composants Silicium
J. Lugo-Alvarez
  • Fonction : Auteur
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
Clémence Hellion
  • Fonction : Auteur
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
Marjolaine Allain
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1289902
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
Joey Denizart
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1421361
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
J.F. Robillard
Microélectronique Silicium - IEMN
CV

Résumé

This paper presents two methods to improve the reliability and the melting/quench behavior of phase change materials (PCM) used in radiofrequency (RF) switches. Results show benefits of the addition of an aluminum nitride heat spreading layer and the reduction of the distance between the substrate and the PCM. The reduction of the PCM cooling time shown in simulations and the power handling improvement observed in measurements on series structures support our proposed designs of GeTe based switches with RF gaps lengths over 4µm, allowing the power handling going to reach 31dBm in both ON and OFF states.

Domaines

Electronique
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Emmanuel Dubois  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-04718738

Soumis le : mercredi 2 octobre 2024-16:50:51

Dernière modification le : samedi 5 octobre 2024-03:13:16

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Dates et versions

hal-04718738 , version 1 (02-10-2024)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04718738 , version 1

Citer

Corentin Mercier, Bruno Reig, Stéphane Monfray, Emmanuel Dubois, Alain Fleury, et al.. Optimization of the melt and quench behavior of phase-change RF switch to improve power handling. 19th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC 2024), Sep 2024, Paris, France. ⟨hal-04718738⟩

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