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Communication Dans Un Congrès Année : 2022

Hétéro-épitaxie III-V/Si : contrôle des propriétés des surfaces et interfaces pour la photo-électrochimie

Gabriel Loget
Bruno Fabre
Pascal Turban
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 896
  • IdHAL : pturban
Philippe Schieffer

Résumé

L’intégration monolithique de semi-conducteurs III-V sur substrat de Si a de nombreux avantages dans le domaine de la photonique, de l’électronique, ou de l’énergie. Dans cet exposé, nous montrerons tout d’abord le rôle fondamental des surfaces et interfaces et de leur structure atomique lors de la croissance III-V sur Si. Nous montrerons ensuite que les parois d’antiphase créées lors de la croissance cristalline se comportent comme des singularités 2D avec des propriétés de confinement de porteurs et de phonons originales. Enfin, nous montrerons comment ces singularités peuvent dans certains cas se comporter comme des inclusions semi-métalliques, et comment il est possible de s’en servir pour la production d’hydrogène solaire.
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-03588378 , version 1 (24-02-2022)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03588378 , version 1

Citer

Charles Cornet, Lipin Chen, Mekan Piriyev, Gabriel Loget, Bruno Fabre, et al.. Hétéro-épitaxie III-V/Si : contrôle des propriétés des surfaces et interfaces pour la photo-électrochimie. 35èmes Journées Surfaces et Interfaces, Jan 2022, Dijon (virtual), France. ⟨hal-03588378⟩
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