Article Dans Une Revue
Journ. Appl. Phys.
Année : 2013
Brigitte Rasolofoniaina : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01017535
Soumis le : mercredi 2 juillet 2014-16:29:03
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-18:21:28
Citer
W. van den Daele, C. Malaquin, N. Baumel, O. Kononchuk, S. Cristoloveanu. Adaptation of the pseudo-metal-oxide-semiconductor field effect transistor technique to ultrathin silicon-on-insulator wafers characterization: Improved set-up, measurement procedure, parameter extraction, and modeling. Journ. Appl. Phys., 2013, 114 (16), pp.164502:1-9. ⟨10.1063/1.4826631⟩. ⟨hal-01017535⟩
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