Article Dans Une Revue
Solid-State Electronics
Année : 2013
Brigitte Rasolofoniaina : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01002147
Soumis le : jeudi 5 juin 2014-16:37:16
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:29:49
Citer
K.S. Im, K.W. Kim, D.K. Kim, S.J. Chang, Y. Bae, et al.. Normally-off GaN MOSFETs on insulating substrate. Solid-State Electronics, 2013, 90, pp.79-85. ⟨10.1016/j.sse.2013.02.048⟩. ⟨hal-01002147⟩
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