Normally-off GaN MOSFETs on insulating substrate - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Solid-State Electronics Année : 2013

Dates et versions

hal-01002147 , version 1 (05-06-2014)

Identifiants

Citer

K.S. Im, K.W. Kim, D.K. Kim, S.J. Chang, Y. Bae, et al.. Normally-off GaN MOSFETs on insulating substrate. Solid-State Electronics, 2013, 90, pp.79-85. ⟨10.1016/j.sse.2013.02.048⟩. ⟨hal-01002147⟩
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