Mobility behavior and models for fully depleted nanocrystalline ZnO thin film transistors - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Solid-State Electronics Année : 2013

Dates et versions

hal-01002106 , version 1 (05-06-2014)

Identifiants

Citer

S.J. Chang, M. Cheralathan, M. Bawedin, B. Iniguez, B. Bayraktaroglu, et al.. Mobility behavior and models for fully depleted nanocrystalline ZnO thin film transistors. Solid-State Electronics, 2013, 90, pp.134-142. ⟨10.1016/j.sse.2013.02.040⟩. ⟨hal-01002106⟩
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