Article Dans Une Revue
Solid-State Electronics
Année : 2013
Brigitte Rasolofoniaina : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01002106
Soumis le : jeudi 5 juin 2014-15:40:34
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:29:49
Citer
S.J. Chang, M. Cheralathan, M. Bawedin, B. Iniguez, B. Bayraktaroglu, et al.. Mobility behavior and models for fully depleted nanocrystalline ZnO thin film transistors. Solid-State Electronics, 2013, 90, pp.134-142. ⟨10.1016/j.sse.2013.02.040⟩. ⟨hal-01002106⟩
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