Article Dans Une Revue
Solid-State Electronics
Année : 2013
Brigitte Rasolofoniaina : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01001944
Soumis le : jeudi 5 juin 2014-11:45:56
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:40:00
Citer
J. Wan, C. Le Royer, A. Zaslavsky, S. Cristoloveanu. A systematic study of the sharp-switching Z(2)-FET device: From mechanism to modeling and compact memory applications. Solid-State Electronics, 2013, 90, pp.2-11. ⟨10.1016/j.sse.2013.02.060⟩. ⟨hal-01001944⟩
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