Understanding Ge impact on VT and VFB in Si1-xGex/Si pMOSFETs - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Microelectronic Engineering Année : 2013

Dates et versions

hal-00996510 , version 1 (26-05-2014)

Identifiants

Citer

A. Soussou, Cédric Leroux, D. Rideau, A. Toffoli, G. Romano, et al.. Understanding Ge impact on VT and VFB in Si1-xGex/Si pMOSFETs. Microelectronic Engineering, 2013, 109, pp.282-285. ⟨10.1016/j.mee.2013.03.008⟩. ⟨hal-00996510⟩
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