Article Dans Une Revue
Journal of Vacuum Science and Technology
Année : 2013
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https://hal.science/hal-00968781
Soumis le : mardi 1 avril 2014-15:16:43
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-20:52:26
Citer
R. Blanc, F. Leverd, T. David, O. Joubert. Patterning of silicon nitride for CMOS gate spacer technology. I. Mechanisms involved in the silicon consumption in CH3F/O2/He high density plasmas. Journal of Vacuum Science and Technology, 2013, B 31, pp.051801. ⟨10.1116/1.4816466⟩. ⟨hal-00968781⟩
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