PECVD of GeTe for next generation of non volatile memory - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2011
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00925819 , version 1 (08-01-2014)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00925819 , version 1

Citer

Corentin Vallée, L. Dussault, E. Despiau-Pujo, E. Gourvest, D. Jourde, et al.. PECVD of GeTe for next generation of non volatile memory. 18th International Colloquium on Plasma Processes (CIP), Jul 2011, rennes, France. ⟨hal-00925819⟩
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