Growth of high dielectric constant TiO2 films in capacitors using a low temperature ALD process - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2013

Growth of high dielectric constant TiO2 films in capacitors using a low temperature ALD process

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00908485 , version 1 (23-11-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00908485 , version 1

Citer

J. Pointet, A. Bsiesy, P. Gonon, Corentin Vallée, B. Fléchet. Growth of high dielectric constant TiO2 films in capacitors using a low temperature ALD process. E-MRS 2013 Spring Meeting, May 2013, Strasbourg, France. ⟨hal-00908485⟩
55 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More