MD simulations of low energy Clx+ ions interaction with ultrathin silicon layers for advanced etch processes - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Vacuum Science and Technology Année : 2014

MD simulations of low energy Clx+ ions interaction with ultrathin silicon layers for advanced etch processes

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00904425 , version 1 (14-11-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00904425 , version 1

Citer

P. Brichon, E. Despiau-Pujo, O. Joubert. MD simulations of low energy Clx+ ions interaction with ultrathin silicon layers for advanced etch processes. Journal of Vacuum Science and Technology, 2014, A32, pp.021301. ⟨hal-00904425⟩
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