Deposition of GeTe phase change material by plasma enhanced MOCVD - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2013
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00904423 , version 1 (14-11-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00904423 , version 1

Citer

M. Aoukar, Corentin Vallée, A. Pikon, D. Jourde, P. Michallon, et al.. Deposition of GeTe phase change material by plasma enhanced MOCVD. 19th International Vaccum Congress IVC-19, Sep 2013, Paris, France. ⟨hal-00904423⟩
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