Stress-induced leakage current and trap generation in HfO2 thin films - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Applied Physics Année : 2012
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00777842 , version 1 (18-01-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00777842 , version 1

Citer

C. Mannequin, P. Gonon, Corentin Vallée, L. Latu-Romain, A. Bsiesy, et al.. Stress-induced leakage current and trap generation in HfO2 thin films. Journal of Applied Physics, 2012, pp.112 (2012) 074103. ⟨hal-00777842⟩
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