Influence of oxygen vacancies on the nonlinear behaviour of high k MIM capacitors - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2008

Influence of oxygen vacancies on the nonlinear behaviour of high k MIM capacitors

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00669561 , version 1 (13-02-2012)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00669561 , version 1

Citer

Corentin Vallée, P. Gonon, F. El Kamel, E. Gourvest, Myrtil L. Kahn, et al.. Influence of oxygen vacancies on the nonlinear behaviour of high k MIM capacitors. Workshop on Dielectrics in Microelectronics (WoDiM), Jun 2008, Berlin, Germany. ⟨hal-00669561⟩
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