Influence of induced stress on enrichment kinetic during local Ge condensation of SiGe/SOI mesas - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Thin Solid Films Année : 2010

Influence of induced stress on enrichment kinetic during local Ge condensation of SiGe/SOI mesas

N. Dechoux
  • Fonction : Auteur
J.F Damlencourt
  • Fonction : Auteur
P. Rivallin
  • Fonction : Auteur
P. Brianceau
  • Fonction : Auteur
S. Bernasconi
V. Benevent
  • Fonction : Auteur
J.C. Barbe
  • Fonction : Auteur
T. Billon
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00669421 , version 1 (13-02-2012)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00669421 , version 1

Citer

N. Dechoux, J.F Damlencourt, P. Rivallin, P. Brianceau, S. Bernasconi, et al.. Influence of induced stress on enrichment kinetic during local Ge condensation of SiGe/SOI mesas. Thin Solid Films, 2010, 518, pp.S92-S95. ⟨hal-00669421⟩
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