Article Dans Une Revue
Journal of Applied Physics
Année : 2011
Marielle Clot : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00669406
Soumis le : lundi 13 février 2012-11:19:43
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:16:43
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00669406 , version 1
Citer
C. Mannequin, P. Gonon, Corentin Vallée, A. Bsiesy, H. Grampeix, et al.. Dielectric relaxation in hafnium oxide: a study of transient currents and admittance spectroscopy in HfO2 metal-insulator-metal devices. Journal of Applied Physics, 2011, pp.110 104108. ⟨hal-00669406⟩
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