Dielectric relaxation in hafnium oxide: a study of transient currents and admittance spectroscopy in HfO2 metal-insulator-metal devices - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Applied Physics Année : 2011
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00669406 , version 1 (13-02-2012)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00669406 , version 1

Citer

C. Mannequin, P. Gonon, Corentin Vallée, A. Bsiesy, H. Grampeix, et al.. Dielectric relaxation in hafnium oxide: a study of transient currents and admittance spectroscopy in HfO2 metal-insulator-metal devices. Journal of Applied Physics, 2011, pp.110 104108. ⟨hal-00669406⟩
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