Resistive switching in HfO2 metal-insulator-metal devices - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2011
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00650189 , version 1 (09-12-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00650189 , version 1

Citer

M. Bonvalot, C. Mannequin, P. Gonon, Corentin Vallée, V. Jousseaume, et al.. Resistive switching in HfO2 metal-insulator-metal devices. AVS 58th International Symposium and Exhibition, Oct 2011, Nashville, United States. ⟨hal-00650189⟩
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