Residue growth on metallic-hard mask after dielectric etching in fluorocarbon-based plasmas. I. Mechanisms - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Vacuum Science and Technology Année : 2010
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Dates et versions

hal-00647504 , version 1 (02-12-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00647504 , version 1

Citer

N. Posseme, T. Chevolleau, R. Bouyssou, T. David, V. Arnal, et al.. Residue growth on metallic-hard mask after dielectric etching in fluorocarbon-based plasmas. I. Mechanisms. Journal of Vacuum Science and Technology, 2010, pp.B 28, 809. ⟨hal-00647504⟩
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