Article Dans Une Revue
Journal of Vacuum Science and Technology
Année : 2010
Marielle Clot : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00647504
Soumis le : vendredi 2 décembre 2011-11:03:56
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-20:52:25
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00647504 , version 1
Citer
N. Posseme, T. Chevolleau, R. Bouyssou, T. David, V. Arnal, et al.. Residue growth on metallic-hard mask after dielectric etching in fluorocarbon-based plasmas. I. Mechanisms. Journal of Vacuum Science and Technology, 2010, pp.B 28, 809. ⟨hal-00647504⟩
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