Gate control of junction impact ionization avalanche in SOI MISFETs : theoretical model. - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2010

Gate control of junction impact ionization avalanche in SOI MISFETs : theoretical model.

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00604948 , version 1 (30-06-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00604948 , version 1

Citer

V. Dobrovolsky, F. Sizov, S. Cristoloveanu. Gate control of junction impact ionization avalanche in SOI MISFETs : theoretical model.. 1st Ukrainian-French Symposium 'Semiconductor-On-Insulator Materials, Devices and Circuits: Physics, Technology and Diagnostics, Oct 2010, Kiev, Ukraine. ⟨hal-00604948⟩
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