Communication Dans Un Congrès
Année : 2010
Chahla Domenget : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00604643
Soumis le : mercredi 29 juin 2011-14:08:46
Dernière modification le : mardi 23 janvier 2024-15:28:02
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00604643 , version 1
Citer
S.-J. Chang, K.-I. Na, M. Bawedin, Y.-H. Bae, K.-H. Park, et al.. Investigation of hysteresis memory effects in SOI FinFETs with ONO buried insulator.. 2010 IEEE International SOI Conference, Oct 2010, San Diego, California, United States. ⟨hal-00604643⟩
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