Improved extraction of effective electric field and hole mobility in Ge and GeOI MOSFETs. - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2010
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00604533 , version 1 (29-06-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00604533 , version 1

Citer

W. van den Daele, C. Le Royer, J. Mitard, G. Ghibaudo, S. Cristoloveanu. Improved extraction of effective electric field and hole mobility in Ge and GeOI MOSFETs.. 6th EUROSOI Workshop, Jan 2010, Grenoble, France. ⟨hal-00604533⟩
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