Partially depleted double-gate 1T-DRAM cell using nonvolatile memory function for improved performance. - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2010
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00604525 , version 1 (29-06-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00604525 , version 1

Citer

K.-H. Park, S. Cristoloveanu, M. Bawedin, Y.-H. Bae, K.-I. Na, et al.. Partially depleted double-gate 1T-DRAM cell using nonvolatile memory function for improved performance.. 6th EUROSOI Workshop, Jan 2010, Grenoble, France. ⟨hal-00604525⟩
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