Mobility enhancement by CESL strain in SOI MOSFETs. Euro-SOI - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2009
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00603735 , version 1 (27-06-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00603735 , version 1

Citer

L. Pham-Nguyen, C. Fenouillet-Beranger, G. Ghibaudo, S. Cristoloveanu. Mobility enhancement by CESL strain in SOI MOSFETs. Euro-SOI. 5th EUROSOI Workshop, Jan 2009, Göteborg, Sweden. ⟨hal-00603735⟩
91 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More