Low-temperature measurements on Germanium-on-Insulator pMOSFETs: evaluation of the background doping level - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2009
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00603712 , version 1 (27-06-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00603712 , version 1

Citer

W. van den Daele, E. Augendre, S. Cristoloveanu, C. Le Royer, L. Clavelier, et al.. Low-temperature measurements on Germanium-on-Insulator pMOSFETs: evaluation of the background doping level. Proc. in Silicon-on-Insulator Technology and Devices 14, (Y. Omura, S. Cristoloveanu, F. Gamiz, B-Y. Nguyen eds.), Pennington (USA), ECS Transactions, in press (2009, May 2009, San Francisco, United States. ⟨hal-00603712⟩
49 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More