Mobility enhancement by CESL strain in short-channel ultrathin SOI MOSFETs - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Solid-State Electronics Année : 2010
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00596348 , version 1 (27-05-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00596348 , version 1

Citer

L. Pham-Nguyen, C. Fenouillet-Beranger, G. Ghibaudo, T. Skotnicki, S. Cristoloveanu. Mobility enhancement by CESL strain in short-channel ultrathin SOI MOSFETs. Solid-State Electronics, 2010, 54 (2), pp.123-130. ⟨hal-00596348⟩
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