Performances Comparison of Si and GaAs Based Resonant Tunneling Diodes - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue physica status solidi (c) Année : 2009

Performances Comparison of Si and GaAs Based Resonant Tunneling Diodes

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00596139 , version 1 (26-05-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00596139 , version 1

Citer

E. Buccafurri, R. Clerc, F. Calmon, M.G. Pala, A. Poncet, et al.. Performances Comparison of Si and GaAs Based Resonant Tunneling Diodes. physica status solidi (c), 2009, 6 (6), pp.1408-1411. ⟨hal-00596139⟩
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