Article Dans Une Revue
IEEE Transactions on Nuclear Science
Année : 2009
Chahla Domenget : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00596095
Soumis le : jeudi 26 mai 2011-14:57:32
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-18:17:24
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00596095 , version 1
Citer
F. Mamouni F., E.X. Zhang, R.D. Schrimpf, D.M. Fleetwood, R.A. Reed, et al.. Fin-width dependence of ionizing radiation-induced subthreshold-swing degradation in 100-nm-gate-length FinFETs. IEEE Transactions on Nuclear Science, 2009, 56 (6), pp.3250-3255. ⟨hal-00596095⟩
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