Fin-width dependence of ionizing radiation-induced subthreshold-swing degradation in 100-nm-gate-length FinFETs - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Nuclear Science Année : 2009

Fin-width dependence of ionizing radiation-induced subthreshold-swing degradation in 100-nm-gate-length FinFETs

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00596095 , version 1 (26-05-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00596095 , version 1

Citer

F. Mamouni F., E.X. Zhang, R.D. Schrimpf, D.M. Fleetwood, R.A. Reed, et al.. Fin-width dependence of ionizing radiation-induced subthreshold-swing degradation in 100-nm-gate-length FinFETs. IEEE Transactions on Nuclear Science, 2009, 56 (6), pp.3250-3255. ⟨hal-00596095⟩
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