Pulsed Injection Plasma Enhanced MOCVD of high k Y2O3 layers for gate dielectric Application - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2002
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00486337 , version 1 (25-05-2010)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00486337 , version 1

Citer

C. Durand, B. Pelissier, Corentin Vallée, M. Bonvalot, L. Vallier, et al.. Pulsed Injection Plasma Enhanced MOCVD of high k Y2O3 layers for gate dielectric Application. 49th International AVS Symposium & Topical Conferences, 2002, Denver, United States. ⟨hal-00486337⟩
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