Mechanical and electrical analysis of strained liner effect in 35 nm fully depleted silicon-on-insulator devices with ultra thin silicon channels - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Japanese Journal of Applied Physics Année : 2006

Mechanical and electrical analysis of strained liner effect in 35 nm fully depleted silicon-on-insulator devices with ultra thin silicon channels

C. Gallon
  • Fonction : Auteur
C. Fenouillet-Beranger
  • Fonction : Auteur
S. Denorme
  • Fonction : Auteur
F. Boeuf
  • Fonction : Auteur
V. Fiori
  • Fonction : Auteur
N. Loubet
  • Fonction : Auteur
A. Vandooren
  • Fonction : Auteur
T. Kormann
  • Fonction : Auteur
M. Broekaart
  • Fonction : Auteur
P. Gouraud
  • Fonction : Auteur
F. Leverd
  • Fonction : Auteur
G. Imbert
  • Fonction : Auteur
C. Chaton
  • Fonction : Auteur
C. Laviron
  • Fonction : Auteur
L. Gabette
  • Fonction : Auteur
F. Vigilant
  • Fonction : Auteur
P. Garnier
  • Fonction : Auteur
H. Bernard
  • Fonction : Auteur
A. Tarnowka
  • Fonction : Auteur
R. Pantel
  • Fonction : Auteur
F. Pionnier
  • Fonction : Auteur
S. Cristoloveanu
T. Skotnicki
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00466356 , version 1 (23-03-2010)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00466356 , version 1

Citer

C. Gallon, C. Fenouillet-Beranger, S. Denorme, F. Boeuf, V. Fiori, et al.. Mechanical and electrical analysis of strained liner effect in 35 nm fully depleted silicon-on-insulator devices with ultra thin silicon channels. Japanese Journal of Applied Physics, 2006, pp.Part1- 45 Issue: 4B (2006) 3058-3063. ⟨hal-00466356⟩
41 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More